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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī母猪凶如狗是什么动物生肖 母猪凶悍如何处理)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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